机译:具有宽带隙的Ⅱ型半导体球形核-壳量子点异质结构的解析方法
机译:具有宽带隙的i型半导体球形核-壳量子点异质结构的理论方法
机译:伪拟自组装量子点在Ga(Sb,P)/ GaP异质结构中I型和II型能带对准的共存吗?
机译:使用II型INP / INGAP量子点的宽带隙中间带太阳能电池的提案
机译:紫外光电子能谱分析半导体量子点和宽带隙氧化物界面的价电子结构。
机译:III型氮化物半导体中II型能带对准的证据:In0.17Al0.83N / GaN异质结构的实验和理论研究
机译:量子限制引起的能带边缘和带隙的偏移 球形量子点
机译:电介质主体中半导体量子点的带隙和表面声子的斯塔克效应